A
A
  • -
  • Magyar
  • 24 perc

TSMC áttörés: Az 1 nm alatti CFET technológia forradalmasítja a félvezetőipart

A TSMC bemutatja az új CFET technológiát, amely túllépi az 1 nm-es határt, forradalmasítva a félvezetőipart.

A TSMC jelentős áttörést ért el a mikrochip technológiában, bemutatva az új CFET (Complementary FET) architektúrát, amely lehetővé teszi a tranzisztorok méretének továbbcsökkentését 1 nanométer alá.

Ez a fejlesztés forradalmasíthatja a félvezetőipart, mivel a gate-all-around tranzisztorok javítják az elektromos vezérlést és csökkentik az energiafogyasztást. A videó részletesen bemutatja az új technológia mögött álló zsenialitást, a gyártási kihívásokat, valamint a TSMC jövőbeli beruházási terveit az Egyesült Államokban.

Ezenkívül a videó kitér a TSMC részvényárfolyamának alakulására és az ASML litográfiai gépek jövőbeli szerepére is.